前言

從第一款氮化鎵快充電源量產到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場，短短三年時間，整個氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍，昔日只有個別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術，如今便已成為了一線手機、筆電品牌的主流產品，不得不感嘆技術迭代的魅力。

之后的幾年里，國產電源芯片企業不僅推出了高頻氮化鎵控制器，大部分控制器還支持直驅氮化鎵功率器件。在此基礎上，諸多國產電源芯片廠商紛紛在合封氮化鎵芯片領域發力，在一顆芯片中集成了PWM控制器、驅動器以及氮化鎵功率器件，大大精簡了電源產品開發過程的電路設計，并有效降低了BOM成本，豐富了高集成度的氮化鎵電源芯片市場，有利于促進氮化鎵快充技術的普及。

根據充電頭網不完全統計，目前已有多家廠商推出數十款合封氮化鎵芯片，在即將舉辦的2022（春季）亞洲充電展上，也將迎來東科、茂睿芯、南芯、PI、必易微、杰華特、鈺泰、力生美、Elevation、亞成微、通嘉、美思迪賽、華源智信、維普、硅動力、創芯微、強弦共17家知名電源廠商，分享并展示最新推出的合封氮化鎵芯片和相關技術分享。

A12、13、14、15展位：東科半導體（安徽）股份有限公司

東科半導體(安徽)股份有限公司，成立于2009年10月，主要從事高頻高效綠色電源IC和大功率電源IC的設計、生產、制造和銷售。是由業界資深專家共同組建，擁有國內、外頂尖人才的技術與產業化隊伍。公司總部位于安徽省馬鞍山市，技術及銷售部門分設于深圳、無錫、青島、臺灣、印度等國內外多個地區。東科著眼于客戶需求，立足中國，面向世界，致力于創造完美價值鏈，服務全球電源IC市場。東科智造，創“芯”前行 Power your future!

公司成立以來，一直堅持自主創新的核心路線，專注技術研發，形成了多項專利壁壘、電源類自供電技術壁壘、多芯片合封技術壁壘的自我保護機制，建成了集研發、設計、封測、銷售為一體的綜合科技創新體系，旗下所有產品都擁有完整的自主知識產權。東科以優質的產品和專業的服務，樹立了良好的品牌形象，積累了科研院校、一流企業等高端客戶群體和長期合作伙伴。

10年的精心培育，東科已擁有5100平方米的廠房規模，8條現代化封裝生產線，芯片月產量達5千萬片。2019年，二期5200平方米廠房即將投入使用，12條封裝生產線同時運作，芯片月產量將達到1億片。同時，公司積極籌建可靠性分析重點實驗室，打造集成電路企業平臺，服務周邊封測企業，為完善區域產業鏈，推動產業互聯互動、協作共贏開辟了航道。

科技浪潮生生不息，芯業發展永不止步。東科不斷壯大完善多元管理團隊、研發設計團隊、技術支持團隊。以高瞻遠矚的目光謀篇布局，以開拓進取的氣度勇往直前，以人才和技術為堅實兩翼，用“務實、精進”的匠心，做“求是、創新”的事業。攜手東科，共創國內電源管理IC產業“芯”未來。

DK025G

DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK025G檢測功率管漏極和源極之間的電壓VDS,當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾(EMI)。芯片最高支持250KHz開關頻率，芯片內部集成氮化鎵開關管、控制器、驅動器、高壓啟動電路和保護單元。

DK025G采用ESOP8封裝，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。這款芯片廣泛應用于高功率密度快速充電器，筆記本電腦，平板電腦和機頂盒等產品的適配器。

DK025G極大的簡化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK025G具備完善的保護功能：輸出過壓保護(OVP)，VCC過欠壓保護，過溫保護(OTP)，開環保護，輸出過流保護(OCP)等。

DK036G

東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片，芯片內部集成650V 400mΩ氮化鎵開關管、控制器、驅動器、高壓啟動電路和保護單元。芯片通過內部快速頻率折返功能來調制最小峰值電流，達到快速降低開關頻率的目的，從而有效降低系統在輕載下的損耗，提升系統的效率。芯片采用130KHz PWM開關頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡。DK036G內置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能，采用ESOP-8封裝形式，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。可以廣泛應用于PD快充和電源適配器。

DK045G

東科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片，支持45W及以下功率應用。DK045G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK045G采用PDFN5*6封裝模式，可廣泛應用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

DK045G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK045G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫護（OTP）， 開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

DK065G

東科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片，支持65W及以下功率應用。DK065G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK065G采用PDFN8*8封裝模式，可廣泛應用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

DK065G極大的簡化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密 度的產品。DK065G具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

B49、50、67、68展位：茂睿芯（深圳）科技有限公司

茂睿芯（深圳）科技有限公司是一家專業的模擬和混合信號集成電路設計、研發、銷售與技術服務公司，總部設在深圳。公司由半導體業界資深專家團隊創立，其核心成員均具有歐美及國內一流半導體公司豐富工作經驗和業績。

茂睿芯定位于高性能電源管理，致力于特色差異化的產品，目前在大功率PD快充、數據中心電源、新能源BMS、充電樁模塊等應用中取得國內領先模擬芯片品牌地位。

MK2787

MK2787是專為PD快充應用優化的高頻QR功率開關。芯片內部集成控制器和650V 480mΩ氮化鎵開關管。其很寬的VCC工作電壓范圍（9V-90V）可以使其覆蓋PD/PPS 從3.3V-23V的輸出范圍而不需要使用額外的繞組或者線性降壓電路，簡化電源設計。

MK2787針對于能效要求，由于PD快充有多個不同的輸出電壓，因此采用了自適應的多模式。其在不同負載以及不同輸出下，調整工作于DCM/QR。在輕載時則會工作于burst模式，以提升效率。MK2787提供了全面的保護功能,有輸出OVP，OPP， VCC OVP，BROWN-IN/OUT，還提供了副邊SR短路保護等。芯片可以廣泛應用于AC/DC適配器和高功率密度電源。

MK2788

MK2788是專為PD快充應用優化的高頻QR功率開關。采用DFN5*6封裝模式，內部集成650V 480mΩ氮化鎵開關管。MK2788支持9-90V的寬范圍供電電壓，可以使其覆蓋PD/PPS 從3.3V-23V的輸出范圍而不需要使用額外的繞組或者線性降壓電路。

針對于能效要求，由于PD快充有多個不同的輸出電壓，因此采用了自適應的多模式。其在不同負載以及不同輸出下，調整工作于DCM/QR。在輕載時則會工作于burst模式，以提升效率。MK2788可廣泛適用于AC/DC適配器以及高功率密度電源。MK2788提供了全面的保護功能,有輸出OVP，OPP，VCC OVP，BROWN-IN/OUT，還提供了副邊SR短路保護等。

C72、73、86、87展位：上海南芯半導體科技股份有限公司

上海南芯半導體科技股份有限公司，成立于上海浦東張江高科技園區，是一家專注于電源和電池管理的高性能國產半導體設計公司，擁有Charge pump、DCDC、ACDC、有線充電、無線充電、快充協議、鋰電保護等多條產品線，基于自主研發的升降壓充電、電荷泵和GaN直驅等核心技術，推出了多款明星產品，得到業內廣泛認可。

南芯能夠提供從AC到電池的端到端快充完整解決方案，產品覆蓋10W到200W整個范圍。其中電荷泵大功率快充系列產品率先打破國外壟斷，通過了國內多個知名品牌手機廠家的嚴苛認證，并已實現大規模穩定量產；DC/DC類產品在工業類市場取得了豐碩的成績；無線/有線充電類產品也已經通過車規認證，打入國產汽車前裝市場。

南芯擁有強大的研發及系統團隊、獨立的品質管控團隊、以及貼近客戶的銷售和支持團隊，為高質量的產品開發設計保駕護航。南芯也得到了上下游產業鏈與資本的廣泛認可與支持，獲得了小米、OPPO，VIVO，中芯聚源、上海集成電路產業基金、紅杉資本等的資源和資本加持，極大助力公司持續、快速成長，以及可靠的供貨保證。

南芯產品已在小米、榮耀、OPPO、聯想、三星、大疆、Anker，紫米等國內外知名品牌的產品中頻頻亮相，并助力多款產品入駐Apple Store，證明了南芯產品在性能、品質和成本等方面的諸多優勢。南芯秉承不斷提高，不停創新的企業文化，致力于為客戶提供高性能、高品質與高經濟效益的系統解決方案。

南芯，為效率而生。

SC3055

SC3055是南芯高性能SSR 高頻QR控制器與GaN功率器件的完美結合，更加利于發揮GaN器件低阻抗、低開關損耗的優良性能；QR工作模式，可支持135kHz開關頻率；提高系統的功率密度，滿足日趨小型化的需求；特有的降頻策略，使得全功率范圍獲得理想的轉換效率。采用SOP-7封裝，體積小巧，方便工程師制作樣機。這顆芯片可開發成25W以下小功率USB PD、QC快充充電器，也可以開發成AC-DC適配器。

SC3056

南芯SC3056是一顆高頻準諧振反激轉換器，具有高能效和高可靠性，源自南芯半導體的SC305x系列。SC3056內部集成650V耐壓的氮化鎵開關管，可輕松驅駕30W~40W輸出功率范圍。

SC3056工作在QR和DCM模式下，谷底開通以提高效率；提供自適應的頻率折返用于實現全負載范圍內的高效率；無負載時，芯片以突發模式運行，降低待機功耗。轉換器內置高壓啟動電路，可實現超低的待機功耗和超快的啟動速度。同時集成軟啟動電路，以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路。在突發和故障模式下具有超低的工作電流，滿足待機能效要求。最高工作頻率為175KHz，大幅降低磁性器件的體積和成本。全功率范圍具備抖頻功能，用以改善EMI性能。

南芯SC3056內置0.36歐姆650V氨化鎵功率器件，在寬輸入范圍下，可支持30W~45W的應用，為USB PD快充與開關電源應用提供高能效小體積的解決方案。可廣泛應用于USB-PD和QC快充充電器，也可以適用于AC-DC的電源適配器。

SC3057

南芯SC3057合封氮化鎵芯片將高性能多模式反激控制器、氮化鎵驅動、氮化鎵開關管、供電和保護等電路集成在一顆散熱增強的QFN6*8封裝內部。極大減少了外圍元器件數量，PCBA面積減少50%以上，并消除傳統驅動走線寄生參數對高頻開關的影響，使得氮化鎵的性能得以進一發揮。

南芯SC3057采用功率走線和控制走線分開的設計，降低高頻開關對控制回路的影響，并通過優化的焊盤設計，優化充電器走線設計與電氣性能，簡化設計開發。南芯SC3057內置165mΩ氮化鎵開關管，支持175KHz開關頻率，并支持X電容放電，滿足65W快充應用。這款芯片可廣泛應用于USB-PD和QC快充充電器，也可以適用于AC-DC的電源適配器。

B29、30：Power Integrations

Power Integrations, Inc.是一家專注于高壓電源管理及控制領域的高性能電子元器件及電源方案的供應商，總部位于美國硅谷。 我們所推出的集成電路和二極管為包括移動設備、家電、智能電表、LED燈以及工業應用的眾多電子產品設計出小巧緊湊的高能效AC-DC電源。我們的SCALE門極驅動器可提高大功率應用的效率、可靠性和成本效益，其應用領域包括工業電機、太陽能和風能系統、電動汽車和高壓直流輸電等。

自1998年問世以來，Power Integrations的EcoSmart節能技術已節省了數十億美元的能耗，避免了數以百萬噸的碳排放。由于我們的產品對環境保護的作用，Power Integrations的股票已被歸入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge贊助的環保技術股票指數下。

SC1933C

SC1933C芯片內置GaN功率器件，支持寬電壓輸入范圍下65W輸出。采用InSOP-24D封裝，集成高壓啟動和X電容放電功能，廣泛應用于快充充電器，可應用到USB-PD快充設備和快充需求的手機充電器。

SC1933C無需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與外接快充協議接口IC協同工作，因此適用于高效率反激式設計，內置同步整流控制器和反饋，更加節省外部元件。

INN3278C

INN3278C采用InSOP-24D封裝。集成高壓啟動功能，廣泛應用于快充充電器。INN3278C是一顆內部集成初級開關，同步整流控制器，反饋和恒功率特性的準諧振反激電源IC。其內部集成750V PowiGaN開關管，支持在密閉環境寬電壓范圍內輸出55W功率。

INN3278C待機功耗小于30mW，支持次級整流管短路保護，支持同步整流管柵極開路檢測，具有快速的動態負載響應和輸入欠壓/過壓保護，并且內置完善全面的保護功能。

InnoSwitch3-CP系列器件集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。所提供的器件均支持領存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設計等應用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

INN4075C

主控芯片INN4075C采用InSOP-24D封裝。集成高壓啟動功能，支持最大105W輸出。這是新一代InnoSwitch4系列芯片，應用于有源鉗位反激架構，可實現主開關管的零電壓開關，降低器件溫升。同時優化EMI性能，非常適合小體積，高工作頻率的開關電源設計。

InnoSwitch4-CZ是零電壓開關的集成反激芯片，內部集成750V高壓PowiGaN開關、有源鉗位驅動、同步整流和FluxLink反饋，與ClampZero有源鉗位芯片搭配使用，將漏感能量回收，可實現高達95%的轉換效率。

InnoSwitch4-CZ系列器件集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。所提供的器件均支持領存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設計等應用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

MIN1072M

芯片MIN1072M采用MinSOP-16A封裝，集成高壓啟動功能，最大支持75W輸出，廣泛應用于快充充電器。

MIN1072M芯片通過使用MinE-CAP器件，可以使用低壓大容量電容與高壓小電容組合應用，從而減小濾波電容體積，與PI電源芯片共同使用可減少元件數量，實現高功率密度的開關電源設計。

MIN1072M芯片集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。所提供的器件均支持領存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設計等應用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

B47、48展位：深圳市必易微電子股份有限公司

深圳市必易微電子股份有限公司擁有半導體領域的資深專家和高效的管理團隊，主要從事高性能模擬及數模混合集成電路的研發和銷售，在杭州、廈門、上海、中山等地設有研發中心及分支機構。

必易微高度重視知識產權的開發和保護，已擁有多項集成電路和系統應用的國際、國內專利。主營產品包括 AC-DC、DC-DC、驅動 IC、線性穩壓、保護芯片、電池管理等，為消費，工業，通訊及計算機等領域客戶提供完整電源解決方案和系統集成。

科技改善生活。必易微尊重人才、重用人才，以客戶為中心，始終堅持“獨特創新、易于使用”的公司理念，創新芯領域，引領芯發展，力爭成為全球卓越的芯片設計企業。

KP22062

KP22062是一款集成GaN FET的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成驅動調節功能，可調節GaN FET導通時驅動速度，優化系統EMI性能。KP22062采用小體積的DFN 5*6mm封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉換器設計。

KP22062的工作頻率最高可達500kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片支持超寬 VDD供電范圍9-112V。芯片直接檢測交流輸入電壓，可提供快速啟動功能，X電容放電功能和小于30mW的待機功耗。

KP22062集成有完備的保護功能，包括: VDD欠壓保護(UVLO).VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、輸出過流保護(SOCP)、內置過熱保護(OTP)、CS管腳開路保護等。

KP22064/KP22066

KP22064/KP22066是集成了GaN FET的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成驅動調節功能，可調節GaN FET導通時驅動速度，優化系統EMI性能。KP22064/KP22066都采用小體積的DFN 8*8 mm封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉換器設計。

KP22064/KP22066的工作頻率最高可達500kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片支持超寬VDD供電范圍9-112V。芯片直接檢測交流輸入電壓，可提供快速啟動功能，X電容放電功能和小于 30mW的待機功耗。

KP22064/KP22066集成有完備的保護功能，包括: VDD欠壓保護(UVLO) VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、輸出過流保護(SOCP)、內置過熱保護(OTP)、CS 管腳開路保護等。

A09展位：杰華特微電子股份有限公司

杰華特微電子股份有限公司成立于2013年3月，注冊資本38,880萬元，公司是以虛擬IDM為主要經營模式的模擬集成電路設計企業，專業從事模擬集成電路的研發與銷售。公司總部位于杭州，在成都、上海、深圳、珠海、廈門、南京、張家港等地設有分支機構。

公司具備包括芯片和系統設計技術、晶圓制造工藝在內的完整核心技術架構。目前公司產品以電源管理模擬芯片為主，在電源管理芯片領域擁有業界領先的全品類產品設計開發能力與產品覆蓋廣度，并逐步拓展信號鏈芯片產品，致力于為各行業客戶提供高效率、高性能、高可靠性的一站式模擬集成電路產品解決方案。

公司堅持面向全應用領域開發模擬集成電路產品，隨著產品數量的積累和技術能力的提升，公司下游應用領域逐漸從消費電子向工業應用、計算機及存儲以及汽車電子、通訊電子領域擴展。隨著公司的發展，公司同步開發電源管理芯片和信號鏈芯片，進一步加強面向工業、通訊及汽車電子領域供應高性能芯片的能力。

公司始終堅持“創新技術、自主研發”技術戰略，截至2021年9月30日，公司已獲得專利365項，其中發明專利118項，集成電路布局設計登記證書49項，此外，公司在申請專利400余項，構建起了較為完善的多品類模擬芯片產品自主研發體系。

公司目前通過ISO9001質量體系認證、ISO14001環境管理體系認證；是高新技術企業、工業和信息化部認定的專精特新“小巨人”企業、2016浙江省成長性科技型百強企業、杭州市企業高新技術研發中心、杭州市企業技術中心、杭州市專利示范企業。

JW1565

杰華特JW1565采用 6*8mm WDFN封裝，是一款高集成QR模式合封氮化鎵芯片，內部集成了650V，260mΩ氮化鎵功率器件，最大工作頻率為260kHz。QR控制通過降低開關損耗來提高效率，并通過自然頻率變化提高 EMI 性能，同時也可以通過內部最大頻率限制來克服QR反激的固有缺點。

杰華特JW1565包含一個用于啟動的HV引腳，以消除傳統的啟動電阻并節省待機模式能耗。符合嚴格的效率法規。此外，當交流輸入被移除時，HV引腳用于X電容放電，這有助于減少X電容電損耗并實現極低的待機功耗。

JW1566A

杰華特合封氮化鎵芯片JW1566A，在DFN5*6的封裝內部集成了反激控制器，氮化鎵驅動器和氮化鎵功率管，準諧振反激可降低開關損耗，改善EMI，并提高能效。

杰華特JW1566A內置650V耐壓，480mΩ氮化鎵開關管，芯片支持最高90V供電電壓，最高開關頻率可達260kHz，內置高壓啟動電路，具有超低的待機功耗。杰華特JW1566A集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。所提供的器件均支持領存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設計等應用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

A10展位：鈺泰半導體股份有限公司

鈺泰半導體股份有限公司（以下簡稱“公司”）主要從事電源管理類芯片的研發與銷售，致力于向客戶提供性能優越、功能豐富、品質穩定的多品類、全系列電源管理芯片及解決方案。公司由美國Maxim頂尖設計人員創立，在上海張江、美國硅谷、越南河內設有研發中心，有國內外近百位芯片研發設計人員；客戶支持團隊包括售前支持與售后服務，分別在上海、深圳、西安和杭州設有銷售中心。

目前，公司已有在售產品覆蓋DC/DC功率轉換器、AC/DC功率轉換器、LDO、電池管理芯片、PMU等電源管理細分領域，廣泛應用于智能電表、安防產品、機頂盒、路由器、手機、TWS耳機、移動電源等終端產品，覆蓋工業、消費、通信等多個市場領域，是國內少數可以提供全系列電源管理芯片產品的公司之一，也是國內智能電表、安防、手機、機頂盒、路由器、智能穿戴設備等領域的主要電源管理芯片供應商之一。

通過長期自主研發和技術創新，公司在電源管理類模擬芯片所涉及的各個細分領域均形成了強大的技術積累，構建了較為全面的技術架構；公司產品在耐壓強度、功率密度、靜態功耗等核心指標上持續不斷地實現技術突破。

公司在國內市場中率先或較早地推出了強制ZVS/QR寬電壓ACDC控制芯片，真關斷同步升壓芯片，同步開關型充電芯片，1μA超低待機功耗的升壓/降壓芯片，1‰調光精度LED同步升壓背光驅動芯片，超大功率密度SOT563封裝的同步COT降壓芯片，鋰電池充電放電管芯片，電池均衡芯片，集成升壓、降壓、LDO、充電的多路輸出PMU芯片等產品。

ETA80G20

鈺泰ETA80G20是一顆高性能峰值電流模式控制器，內置1.15Ω D-mode氮化鎵開關管，準諧振開關搭配頻率折返提升EMI表現并提升效率，滿足六級能效標準。

ETA80G20采用QR/CCM多模式運行，具有超低的待機功耗，優秀的動態響應和精確電壓調節。芯片內置快速啟動功能。ETA80G20集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。ETA80G20滿足24W應用，非常適合在20W 迷你PD快充中使用，溫升較低。

ETA80G25

鈺泰半導體ETA80G25采用SSOP10封裝，內置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開關管。內部開關管漏極連接大面積銅箔散熱，可實現良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求。

ETA80G25支持90-264V輸入，支持27W功率輸出。芯片支持CCM/QR/DCM運行模式，滿載最高開關頻率80kHz，輕載下支持頻率折返控制，可實現全功率范圍內的高效率。ETA80G25集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。所提供的器件均支持鎖存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設計等應用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

A16展位：深圳市力生美半導體股份有限公司

力生美半導體 ( Lii Semiconductor ) 是一家專注于電源/功率管理集成電路設計、銷售與技術服務的國家級高新技術企業，2010年成立于深圳，總部位于深圳市南山智園崇文園區內，并在蘇州設有企業研發中心，在慈溪/順德/東莞設有技術支持服務中心，力生美始終致力于為客戶提供高效能、高可靠性、高可用性的系列開關電源IC產品，同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務，為電子電器廠商賦能，助力提高用戶的綜合競爭力。

依托公司領先的技術創新能力和多年的技術積累，先后在市場上推出多款具有領先優勢的產品系列，包括交流過零PWM開關系列、大功率內置開關TSIP7封裝系列、130kHz內置MOS高頻PSR系列、PDPAK8內置MOS大功率PWM開關系列等，產品覆蓋家電、充電器、適配器、電動工具、快充、網通、IOT等領域。

目前在售產品已覆蓋0-120W多種功率等級開關電源IC及解決方案，獲得市場與用戶的廣泛認可，2022年力生美還將推出大功率的諧振電源IC及第三代半導體技術的內置氮化鎵GaN產品系列。

我們將始終秉持科技創新導向，致力于為市場提供節能高效的功率管理IC產品，助力降低碳排放，為建設更加美好的地球而努力。

LN9T28xF

LN9T28xF是一款高性能、高度集成的電流模式 PWM 控制器，內部集成了700V氮化鎵功率器件，可輕松構建低待機功耗、低成本、高性能的解決方案，以滿足應用中的 CoC V5 和 DoE VI 能效。

芯片PWM開關頻率由芯片內部設定，具有全溫度補償，最大值設置為130kHz。在空載或輕載條件下，集成電路可工作于智能中斷模式，以降低開關損耗，從而在具有較低待機功耗的同時實現良好的轉換效率。

低 VDD 啟動電流和工作電流使 LN9T28xF 具有非常高的可靠性和使用壽命。可以使用阻值較大的電阻來完成電路的啟動，這樣也降低了啟動電阻的損耗，進一步降低了系統待機功耗。LN9T28xF 還提供了一個非常全面的自動恢復保護電路，包括逐周期電流限制 (0CP)、具有高低壓補償的輸出過載保護 (OLP)、VDD 過壓鉗位和欠壓鎖定 (UVLO) 。

A32展位：Elevation

Elevation是一家高能效電源轉換芯片的供應商，主要從事高能效電源管理芯片的研發和銷售。公司由從事電力電子半導體的資深專家帶領，研發團隊核心成員主要來自仙童和Power Integrations，團隊成員均擁有20年以上的設計開發經驗，目前團隊還在快速發展。

Elevation的產品可廣泛應用于通訊、工業、家電、消費電子等領域。目前公司已率先推出行業領先的高集成GaN (氮化鎵)功率器件的快充解決方案。

Elevation堅持以客戶為中心，用芯提供創新方案，助力全球電氣化新發展！

HL9550/HL9552/HL9554

HL9550/HL9552/HL9554都采用小體積的QFN 5*6mm封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉換器設計。適用于高效率反激設計，集成高壓啟動和X電容放電功能，HL9550最大功率支持65W，HL9552最大功率支持45W，HL9554最大支持30W。廣泛應用于快速充電器和適配器。

HL9550系列合封芯片是一款反激式PWM控制器，可在準諧振（QR）模式和連續導流模式（CCM）下工作，從而提高系統效率和功率密度。HL9550系列芯片內置650V GaN FET功率管，提供高效率解決方案，并具有寬VDD工作范圍，可覆蓋可變輸出模式應用，支持USB-PD PPS或傳統的DP/DN協議通信。

B64展位：陜西亞成微電子股份有限公司

亞成微電子股份有限公司，成立于2006年，是一家專注高速功率集成技術的高端模擬IC設計公司 ，總部位于西安，在廈門、深圳、寧波、中山等地設有研發中心或客戶支持中心。2014年1月在新三板掛牌（股票代碼：430552）。

亞成微專注高速功率集成技術設計領域，擁有業內領先的“高速功率集成技術平臺”，已量產包括射頻功率放大器供電管理方案-包括跟蹤芯片（ET）、智能功率開關芯片、AC/DC電源管理芯片、線性LED照明驅動芯片 以及 功率MOSFET 在內五大產品線，可被廣泛應用于通信設備、工業控制、汽車電子、消費電子以及LED照明等領域。

在USB PD快充領域，亞成微致力于為客戶提供高可靠性的高功率密度快充解決方案，目前已推出應用于大功率快充的高集成度合封氮化鎵電源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列，以及 E-Mode GaN FET直驅ZVS開關電源芯片RM6801系列和CCM/QR開關電源芯片RM6601系列；應用于中小功率的全新升級版 自供電雙繞組開關電源芯片RM673X系列（集成亞成微超結MOS-RMX65R系列）；同時新一代大功率同步整流方案RM343X系列也已進入量產階段（最高350KHz工作頻率，支持200Ｗ快充輸出功率），完美適用于百瓦級以上氮化鎵快充產品，將有效提升快充產品功率密度并降低廠商的物料成本。

RM6820NQ

RM6820NQ是一款內置650V GaN FET，高性能高可靠性電流控制型PM開關控制芯片，全電壓范圍內待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，并且支持CCM/QR混合模式，專有ZVS技術降低GaN FET開關損耗,提高產品效率及功率密度,改善產品EMI。

RM6820NQ集成多種工作模式，在重載情況下，系統工作在傳統的固頻130Khz的PWM模式下，在低壓輸入時會進入CCM模式；在重載情況下，系統工作在R模式，并采用專有ZVS技術，以降低開關損耗，同時結合PFM工作模式提高系統效率；RM6820NQ采用專有的驅動技術，搭配高壓GaNFET功率器件改善EMI設計；在輕載或空載情況下，系統工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6820NQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6820NQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內置OTP過熱保護，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償和ZVS線電壓補償。

RM6820NQL

RM6820NQL是一款內置650V GaN FET，高性能高可靠性電流控制型PWM開關控制芯片，全電壓范圍內待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，并且支持CCM/QR混合模式，專有ZVS技術降低GaN FET開關損耗，提高產品效率及功率密度，改善產品EMI。

RM6820NQL同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VOC OVP，內置OTP，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo) ，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償和ZVS線電壓補償。

RM6604ND

亞成微RM6604ND/NDL是一款集成了650V GaN FET、氮化鎵驅動器、驅動保護以及高壓啟動的氮化鎵功率集成電源芯片，CCM/QR反激運行模式，支持最大36W快充，全電壓范圍內待機功耗小于 65mW，滿足六級能效標準，具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點，滿足快充電源小型化設計要求。此外，芯片采用DFN5*6封裝，成本更為優異。

亞成微RM6604ND/NDL集成多種工作模式，在重載情況下，系統工作在傳統的固頻130Khz/85KHz的 PWM模式下，在低壓輸入時會進入CCM模式；在重載情況下，系統工作在QR模式，以降低開關損耗，同時結合PFM工作模式提高系統效率。

RM6604ND同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內置0TP，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償。

RM6604NDL

RM6604NDL采用專有的驅動技術，搭配高壓 GaNFET功率器件改善EMI設計；在輕載或空載情況下，系統工作在BurstMode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6604NDL本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有的抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6604NDL同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCC OVP，內置OTP，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出整流管短路保護等，并內置斜坡補償。

RM6604NDQ

RM6604NDQ是一款內置650V GaN FET，高性能高可靠性的電流控制型PWM開關控制芯片，全電壓范圍內待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準,QR工作模式，提高產品效率及功率密度，改善產品EMI。

RM6604NDQ集成多種工作模式,在重載情況下,系統工作在傳統的固頻130Khrz 的PWM模式下；在重載情況下，系統工作在QR模式，以降低開關損耗.同時結合PFM工作模式提高系統效率；RM6604NDQ采用專有的驅動技術，搭配高壓GaNFET功率器件改善EMI設計：在輕載或空載情況下，系統工作在 Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6604NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6604NDQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內置0TP，外置 OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償。

B73展位：通嘉科技（深圳）有限公司

通嘉科技做為獨立的電源管理IC供應商，從「綠色電源，珍愛地球」的愿景出發，聚焦于ACDC中大功率最佳完整解決方案，用心了解環衛議題與產業趨勢的變化，致力碳中和凈零目標，透過領先的技術專利，與合作伙伴的共同努力，布局全球，將科技與環衛結合，不斷創新。

通嘉科技的產品涵蓋通信手機、網路設備、筆記本、電視、民生消費品等多元商業市場，提供完整的一站式服務方案與產品，讓生活充滿電力！

LD966L/M

LD966L/M是為驅動GaN FET設計的高頻高性能PWM控制器。芯片集成高精度GaN FET 驅動，可調節GaN FET導通時驅動速度，優化系統EMI性能，芯片內部集成650V氮化鎵開關管。LD966L/M采用小體積的QFN8*8封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉換器設計。可以廣泛應用于AC/DC適配器和儲能電池。

LD966L/M的工作頻率最高可達227kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片直接檢測交流輸入電壓，可提供快速啟動功能，X電容放電功能和700V的高壓啟動。LD966L/M集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。

B111展位：蘇州美思迪賽半導體技術有限公司

MIX-DESIGN(美思迪賽半導體技術有限公司)是一家技術領先的模擬和數字混合信號半導體設計企業。基于全球先進的半導體工藝制程和技術專注于功率半導體器件的研發、測試、銷售等環節。

公司成立于2009年，總部位于蘇州工業園區獨墅湖高教區，公司的主要產品為高性能整合式AC-DC電源控制芯片及相關產品。研發成員均來自于該領域國內外著名的半導體廠商，核心成員具備深厚的集成電路設計及管理經驗。

公司的核心價值是：為客戶提供穩定、可靠同時具備卓越性價比的產品和解決方案，與客戶共同保持市場競爭優勢。為保證產品參數的精確一致性，公司成立之初即自行投資設立先進的芯片中測（CP Test）、成品測試(FT)測試生產線，以及完備產品可靠性和品質異常分析檢測設備系統，為公司產出的每一顆芯片提供有力的品質保證。

MSG7511x

美思半導體MSG7511x屬于SimpleGaN系列，這是一款高性能 AC-DC電源控制器，內部集成了準諧振 (QR) 控制器，650V高性能氮化鎵功率器件，用于構建峰值電流模式 PWM 反激式電源，針對高性能、低 EMl、低待機功耗和許多關鍵的內置保護功能進行了優化。它無需傳統的二次反饋電路即可實現嚴格的多級恒壓和多級恒流調節，還無需環路補償元件，同時在所有工作條件下保持穩定性。這款芯片可廣泛應用于AC/DC的快充和智能手機。

MSG7511x集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。適用于快充電源適配器，可用于手機，筆記本電腦等便攜設備。

C10展位：華源智信半導體（深圳）有限公司

2018年，華源智信半導體（深圳）有限公司正式成立，該公司位于深圳市南山區南山科技園。華源智信半導體是一家行業領先的模擬和數模混合IC產品供應商，聚焦顯示領域的電源芯片。公司核心人物來自于iWatt、Dialog和PI公司，擁有豐富的數字電源管理經驗以及設計技術積累。

目前，該公司深耕于電源管理、數字電源以及家用電器電源管理等應用領域，致力于為客戶提供高性能、高品質、客制化的工業與消費電子產品解決方案，以打造成為從交流到直流一體化高效智慧節能的綜合電源管理解決方案供應商。

HYC3601E/H

華源半導體HYC3601E/H內置智能多模式數字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/QR突發運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片采用SOP7封裝。芯片內部集成增強型高壓氮化鎵開關管，數字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數對高頻開關造成的干擾，并減小外部元件數量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYC3601E/H內置自適應氮化鎵柵極驅動器，可平衡開關損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3603601E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術，能夠提升高壓輸入的轉換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

HYC3602E/H

華源半導體合封氮化鎵芯片HYC3602E/H采用ESOP-8封裝，兼顧成本和散熱，內置氮化鎵，貼合市場需求；在90Vac輸出時，滿載效率≥91.5%， 230Vac滿載效率≥ 93%，同時該芯片還具有LPS、OTP等多種保護功能。

HYC3602E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術，能夠提升高壓輸入的轉換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

HYC3605E/H

華源半導體HYC3605E/H內置智能多模式數字控制，支持支持CCM/DCM/PFM突發運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片采用ESOP8封裝，體積小巧。芯片內部集成高壓氮化鎵開關管，數字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數對高頻開關造成的干擾，并減小外部元件數量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYC3605E/H內置自適應氮化鎵柵極驅動器，可平衡開關損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3605E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術，能夠提升高壓輸入的轉換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

HYC3606E/H

華源半導體HYC3606E/H內置智能多模式數字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/突發運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片采用ESOP8封裝，體積小巧。芯片內部集成高壓氮化鎵開關管，數字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數對高頻開關造成的干擾，并減小外部元件數量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYC3606E/H內置自適應氮化鎵柵極驅動器，可平衡開關損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3606E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術，能夠提升高壓輸入的轉換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

HYC3655E/G/H/X

華源半導體HYC3655 E/G/H/X系列內置智能多模式數字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/突發運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片可采用DFN6×8封裝，體積小巧。芯片內部集成高壓氮化鎵開關管，數字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數對高頻開關造成的干擾，并減小外部元件數量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYCHYC3655 E/G/H/X系列內置自適應氮化鎵柵極驅動器，可平衡開關損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3655E/G/H/X系列支持650V的高壓啟動，并支持頻率反向控制技術，能夠提升高壓輸入的轉換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

C43展位：深圳維普創新科技有限公司

深圳維普創新于2014 年成立于深圳，是一家專注于電源管理相關數模混合IC設計公司。產品涵蓋了DC-DC功率轉換、鋰電池充電 BMS，無線充電，電荷泵快充，PD快充協議、 BLDC電機控制，等電源管理和信號處理領域。產品適用于消費性終端產品、手機，通信等領域。目前維普創新的高性能IC產品 ，已廣泛的應用在各個領域眾多國內外知名品牌如 Motorola，英國電信，美的，中興，Philips等產品中。

隨著持續的技術聚焦，和新產品拓展，經過多年的技術沉淀，維普產品具備了和TI, NXP, 瑞薩等國外大廠同臺競技的實力。 努力開拓新的工業，汽車等領域，正在邁向更精深的 SOC 芯片設計公司。

WP4001

WP4001采用了QFN-26封裝模式，內置高壓啟動和X電容放電，可以應用到最大功率65W的充電器，支持650V的高壓啟動，最大工作頻率為500KHz，降低變壓器和輸出濾波電容的體積。可以廣泛應用于QC快充和PD快充，也可應用于手機和電腦的電源適配器。

WP4001運行在QR/DCM模式下，谷底開通以獲得高轉換效率和更佳的EMI表現，空載狀態下芯片會進入突發模式降低功率損耗。芯片內置過熱保護等多種保護功能，采用QFN8*8封裝獲得良好的散熱性能。

C50展位：無錫硅動力微電子股份有限公司

無錫硅動力微電子股份有限公司成立于2003年6月，2007年2月完成股份制改造，注冊資金5500萬元。公司坐落于無錫市國家級高新技術產業開發區，占地30畝，建筑面積5000平米，距離蘇南碩放國際機場7公里，距離高鐵車站2公里，交通便利，物流發達。為更好的服務廣大客戶，在深圳設立了分公司。

硅動力擁有一支具有國內外技術開發、經營管理經驗的優秀人才隊伍，是工信部認定的集成電路設計企業，省科技廳認定的江蘇省高新技術企業，擁有省、市兩級工程技術中心。公司聘請了中國工程院院士許居衍先生為公司首席科學家。

公司擁有先進的集成電路設計及測試平臺，充分發揮數模混合及系統集成的技術優勢，以市場為導向，開發擁有自主知識產權的優質電源管理集成電路產品，產品包含AC/DC、DC/DC、多節鋰電池保護芯片、高精度模擬檢測控制開關等綠色電源管理芯片，可廣泛應用于智能手機快速充電器、5G通信適配器、智能電表、小家電、智能家居等領域。截至2021年12月，公司累計獲得發明和實用新型專利111項、正在受理專利31項、集成電路布圖設計權85項。

歷年來硅動力曾獲多項榮譽，榮獲工信部“十年中國芯（2001-2010）---優秀設計企業獎”；先后5次榮獲電子工程專輯“IC設計公司成就獎”；多次榮獲“無錫市十大優秀設計企業獎”“無錫市十強IC設計企業”。

公司多款產品榮獲行業獎項。如《應用于手機/MP3的FM接收芯片》、《高速紅外數據傳輸芯片》、《LED開關調色溫專用控制電路SP5432F》分別獲得第1屆、第4屆、第11屆“中國半導體創新產品和技術獎”；《內嵌USB的高保真多格式音頻解碼芯》獲工信部第六屆“中國芯”最佳潛質獎；硅動力旗下SP2738CF電源轉換芯片獲得2021年工信部第十六屆“中國芯”芯火新銳產品獎。

公司產品堅持自主創新，同時與浙江大學、東南大學等國內著名高校進行產、學、研合作。在2013年起與浙江大學建立了硅動力電源管理芯片聯合實驗室，于2019年起與東南大學建立了寬禁帶半導體材料和器件聯合研發實驗室。在高頻、高功率密度開關電源控制技術和氮化鎵新型功率器件領域開展技術合作，在人才培養、前沿芯片設計技術及專利技術的產業化方面進行深層次的合作。2016年12月，公司受邀成為浙江大學微電子學院理事會首批會員企業。

硅動力真誠歡迎從事微電子事業的人士加盟，倡導“拒絕平庸，創造精品”的經營理念，希望與國內外的企事業單位及各界友好人士攜手發展、共創未來。

SP9686E

SP9686E是一款高集成，高性能的準諧振PWM控制電路，具有低功耗、寬電源電壓特點，適合應用在PD充電器方案。芯片采用了ESOP7封裝。

該控制器同時也是一款兼容低成本、高性價比的離線反激式電路，內部集成650V 450mΩ GaN。谷底鎖定工作模式確保在穩定的谷底工作，降低系統噪聲，隨著負載降低，第6谷底后，IC切換為無谷底鎖定模式，降低開關損耗。當負載進一步降低，芯片工作在跳頻模式，使待機功耗最小化。在整個負載范圍內都有比較高的轉換效率。

SP9686E提供了完整的保護，包括逐周期過流保護(OCP)，過載保護(OLP)，外部過溫保護(OTP)，輸出短路保護(SCP)，輸出過壓和VDD過壓保護。IC內部工作頓率控制技術使得23KHz頻率以下的能量最小化，來避免工作時產生的噪聲。

SP9689E

SP9689E是一款高集成，高性能的準諧振PWM控制電路，具有低功耗、寬電源電壓特點,適合應用在PD充電器方案。芯片采用了ESOP10封裝，內部集成650V 250mΩ氮化鎵開關管。

該控制器同時也是一款兼容低成本、高性價比的離線反激式電路，內部集成650V GaN。具有高壓啟動,X電容放電功能。谷底鎮定工作模式確保在穩定的谷底工作，降低系統噪聲，隨著負載降低,第6谷底后，IC切換為無谷底使定模式，降低開關損耗。當負載進一步降低，IC工作在跳頻模式，使待機功耗最小化。在整個負載范圍內都有比較高的轉換效率。

SP9689E提供了完整的保護，包括逐周期過流保護(OCP)，過載保護(OLP)，外部過溫保護(OIP)，輸出短路保護( SCP)，輸出過壓和VDD 過壓保護。IC內部工作頻率控制技術使得23KHz頻率以下的能量最小化，來避免工作時產生的噪聲。

C52：深圳市創芯微微電子有限公司

深圳市創芯微微電子有限公司成立于2017年5月，是一家專注于高精度、低功耗電池管理及高效率、高密度電源管理芯片研發和銷售的集成電路設計公司，公司總部位于深圳市龍崗區寶龍科技城智慧家園，在珠海和西安設有研發中心，在上海設有分公司。公司創始團隊來自全球知名IC設計公司，核心團隊擁有超過15年以上電池管理芯片（BMS）和電源管理芯片（PMIC）設計、研發和生產測試經驗。目前已獲得發明專利、實用新型專利、布圖設計共57項，18項在申請中，具有ISO9000質量管理體系認證，知識產權貫標認證，是國家級高新技術企業，工業和信息化部第三批專精特新“小巨人” 企業。

創芯微專注于電池管理和電源管理芯片開發，目前電池管理芯片已覆蓋從1節至14節，從全保護到次級保護等所有產品系列和應用領域，成功導入OPPO、一加、哈曼、小米、萊克、宜家、沃爾瑪等多家國內外一流客戶并大批量使用，成為業界標桿產品，為客戶提供安全、穩定、可靠的高性價比電池管理解決方案。2021全年銷售目標產值3億元，獲得行業認可，已聘請國內一線券商、會計師、律師進行現場盡職調查，展開上市相關工作，進展順利。未來三年致力成為國內第一、國際領先的電池及電源管理芯片及方案供應商。

CM1777G

CM1777G是一款集成 GAN 650V的氮化鎵快充芯片，采用ESOP-6封裝。適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉換器設計。具備適用于高效率的反激設計，最大功率支持33W，廣泛應用于USB-PD快速充電器和電源適配器。CM1777G集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。

CM1778G

CM1778G是一款集成 GAN 650V的氮化鎵快充芯片，采用ESOP-10封裝。適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉換器設計。具備適用于高效率的反激設計，最大功率支持65W，廣泛應用于USB-PD快速充電器和電源適配器。CM1778G集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。

D06展位：強弦科技股份有限公司

JPX 是一家用于智能電源管理的 IC 設計公司，利用高壓工藝來包含數字控制和實時保護功能，從而降低客戶系統成本、提高功率因子并提高效率。

產品被臺達、創維、晶元等國際大廠采用，并獲得國內多項經濟部獎勵和補貼，并入選JPX為國家重點企業。近期，JPX與多家國際廠商在GaN HEMT、智能電源、USB-PD等技術開發方面展開合作，提供最優的電源系統解決方案。JPX立志于提供最好的系統整體解決方案、技術服務，成為國內行業未來電源管理的先行者。

JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150

JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150系列為AC/DC轉換應用提供了高度集成的解決方案，芯片內部集成650V增強型氮化鎵開關管，可以有效控制成本和外圍元件數量，待機功耗極低。芯片都采用了QFN8*8封裝方式，具備高壓啟動，支持最大輸出功率分別為40W，65W和100W，適用于快充充電器。

JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150在100~500 kHz的高頻下穩定工作，減小變壓器和輸出電容體積，因此模塊尺寸和重量明顯減小，功率密度比傳統開關電源高。JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150系列集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。

JP8020B165、JP8020B365

JP8020B165、JP8020B365系列為AC/DC轉換應用提供了高度集成的解決方案，集成啟動開關，可以有效控制成本和數量，待機功耗極低。芯片都采用了QFN8*8封裝方式，具備高壓啟動，支持最大輸出功率分別為40W和65W。廣泛應用于快充充電器，也可運用于手機和筆記本電商的電源適配器上。

JP8020B165、JP8020B365在100~500 kHz的高頻下穩定工作，使變壓器和輸出電容收縮，因此模塊尺寸和重量明顯減小，功率密度比傳統開關電源高。JP8020系列集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。

充電頭網總結

氮化鎵技術在消費類電源產品中的大規模商用，充電器的效率得到優化，體積得到大幅降低，便攜性更好，深受消費者青睞；目前各大手機、筆電品牌君已經入局了氮化鎵快充市場，加上國家十四五計劃對第三代半導體技術的扶持，氮化鎵快充市場前景十分可觀。

合封氮化鎵芯片的出現，一顆芯片完成了此前需要三顆芯片才能實現的功能，從根本上解決了氮化鎵功率器件在控制、驅動方面的難題，簡化了快充電源的設計，并降低電源廠商的成本。通過匯總統計可見，將有17家電源芯片廠商帶來40余款合封氮化鎵芯片，可以滿足大功率寬輸出電壓電源產品的設計。

亞洲充電展（Asia Charging Expo）簡稱ACE，由充電頭網發起。亞洲充電展立足現代化國際都市群粵港澳大灣區，是全球影響最為廣泛的能源電子技術展會之一，也是亞洲屈指可數的充電行業技術產業盛會。得益于專業性強、參展商和觀眾覆蓋精準，亞洲充電展在全球享有相當高的知名度。現已成為了全球各大電源企業發布產品信息和展示最新技術的窗口。 近年來，亞洲充電展吸引著來自全球數千家企業參與，覆蓋快充、無線充、儲能、新能源等領域，尤其是在推進快充、無線充技術的應用與普及，亞洲充電展對行業貢獻深受贊譽。眾多行業人士已經將這一展會規劃為每年重要行程。